刻蚀原理？
一、刻蚀原理？
把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。
在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金属薄膜（如铝及其合金）上去，制造出所需的薄层图案。
刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。 刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。
干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。
二、硅刻蚀和介质刻蚀的区别？
干法刻蚀也可以根据被刻蚀的材料类型来分类。按材料来分，刻蚀主要分成三种：金属刻蚀、介质刻蚀、和硅刻蚀。
介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅。接触孔和通孔结构的制作需要刻蚀介质，从而在ILD中刻蚀出窗口，而具有高深宽比（窗口的深与宽的比值）的窗口刻蚀具有一定的挑战性。
硅刻蚀（包括多晶硅）应用于需要去除硅的场合，如刻蚀多晶硅晶体管栅和硅槽电容。
金属刻蚀主要是在金属层上去掉铝合金复合层，制作出互连线。
三、刻蚀特征指标？
刻蚀效果的主要参数有刻蚀速率、陡直度、选择比、对GaN的损伤等。除了Cb虍α3作MC13213为GaN的刻蚀气体外,也可用Cb与Ar或者Hc等l°l。干法蚀刻Sio2、silNl或者siON通常用的是含F或Cl的气体,如CF4、S凡等。
GaN基LED芯片制造中ITO的蚀刻一般用湿法蚀刻,蚀刻液有王水(HCl∶IlNOf3△)、ITo蚀刻液(主要成分是HC1和Fec13)。
四、刻蚀的意思？
刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。
五、刻蚀notch效应？
应该是蚀刻原理。
定义
通常所指蚀刻也称腐蚀或光化学蚀刻（photochemicaletching），指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。
最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。
六、铜箔刻蚀原理？
铜箔的蚀刻原理：
蚀刻时的主要化学反应三氯化铁蚀刻液对铜箔的蚀刻是一个氧化－还原过程。铜表面Fe3+使铜氧化成氯化亚铜。同时Fe3+被还原成Fe2+ FeCl3＋CuFeCl2＋CuCl 可以和FeCl3进一步发生反应天生氯化铜。CuCl具有还原性。
FeCl3＋CuClFeCl2＋CuCl2 与铜发生氧化反应：Cu2+具有氧化性。 CuCl2＋Cu2CuCl FeCl3蚀刻液对Cu蚀刻时靠Fe3+和Cu2+共同完成的其中Fe3+蚀刻速率快，所以。蚀刻质量好；而Cu2+蚀刻速率慢，蚀刻质量差。新配制的蚀刻液中只有Fe3+所以蚀刻速率较快。但是跟着蚀刻反应的进行，Fe3+不时消耗，而Cu2+不时增加。当Fe3+消耗掉35％时，Cu2+已增加到相称大的浓度，这时Fe3+和Cu2+对Cu蚀刻量几乎相等；当Fe3+消耗掉50％时，Cu2+蚀刻作用由主要地位而跃居主要地位，此时蚀刻速率慢，即应考虑蚀刻液的更新。
七、刻蚀地貌？
又称侵蚀地貌，是指由侵蚀作用塑造形成的地形。多出现于相对上升地区(或相对于其邻区较高的地区)，同地层的性质和地质构造有很密切的关系。
在断层破坏的地区常出现冲沟、峡谷；黄土地区多出现沟壑纵横的歹地；石灰岩地区多出现岩溶(喀斯特)地貌；冰川的铲刮力特强，则常常形成特殊的刻蚀地貌，如角峰、平底直谷等等。
八、如何刻蚀铬？
透明胶带把不刻蚀的地方粘住，粘牢了 然后放在烧杯中，加入稀盐酸，然后加入锌颗粒，就能刻蚀掉 注意刻蚀时间，自己摸一下条件，刻完就行了，时间太长会把透明胶泡掉就麻烦了
九、koh刻蚀原理？
KOH和MEGO的反应从400 ºC以上即开始进行：在较低温度下（450 ºC-500 ºC），氧化还原开始刻蚀石墨烯片层，在石墨烯片层上产生纳米尺寸的孔洞或者缺陷，而此时MEGO的层状结构大部分仍得以保留；当活化温度进一步升高（>550 ºC），大量反应产生的孔洞或碳碎片相互连接和组装，逐渐过渡形成三维孔道结构。到活化的优化条件即800 ºC左右，片层状石墨烯已经被完全重构成为三维多孔碳材料。
十、刻蚀工作原理？
反应物质量输运（Mass transport）到要被刻蚀的表面 在反应物和要被刻蚀的膜表面之间的反应 反应产物从表面向外扩散的过程